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      EN

      M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件

      产品特性:

      采用Trench+Fieldstop技术;

      软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低;

      低饱和压降,导通损耗小;

      关断拖尾电流小,软关断特性;

      正温度系数,适合并联;

      高的短路电流能力(6us以上);

      开关速度快,开关损耗小;

      TVj max 达175℃;

      Type VCES
      (V)
      IC nom
      (A)
      VCE (sat)
      (V)
      Ptot
      (W)
      Eoff
      (mJ)
      RthJC
      (℃/W)
      Packages PDF资料
      MM15GT120B 1200 15 1.85 230 0.9 0.65 TO-247 预览     下载
      MM40G3T120B 1200 40 1.90 405 2.8 0.37 TO-247 预览     下载
      MM25G3T120B 1200 25 1.8 306 1.8 0.49 TO-247 预览     下载

      应用领域

      变频器

      伺服驱动器

      不间断电源

      光伏逆变器

      电动汽车

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